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Nexperia新添TrEOS系列ESD保护器件：PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM
发表日期：2023-01-06 来源：wwww.dywgdst.com浏览：763
国际品牌安世Nexperia宣布Nexperia TrEOS产品组合再添新产品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM极低钳位电压ESD保护二极管。这些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的触发电压和极低的钳位电压以及宽通带，浪涌抗扰度出众，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。
虽然这两种器件都可为USB2.0 D+/D-线路提供出色的保护作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通带超过7.5GHz，因此适用于5Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。
东沃电子DOWOSEMI是一家专业的国产电路保护器件器件、二极管和三极管生产厂商，自主研发、生产、销售的产品包括：TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护器件、压敏电阻、自恢复保险丝、陶瓷气体放电管、稳压二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、开关二极管、三极管等等。东沃电子产品能够完美替代各大国际品牌（Nexperia、Vishay、Littelfuse、Bourns、ON、Semtech、Protek、ST等等）对应的物料，竭诚欢迎广大新老客户前来咨询：136 7581 6901（微信同号）朱工
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Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4、Thunderbolt、HDMI 2.1和通用闪存等应用的高性能ESD保护解决方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速开关速度可为高速数据线提供极为有效的ESD峰值抑制性能，而其低触发电压有助于显著降低IEC61000-4-5 8/20µs浪涌脉冲所含的能量。”
单数据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装，触发电压为6.3V TLP，典型器件鲁棒性和电容分别为25A 8/20µs和0.7pF。PESD4V0Y1BBSF提供的钳位电压在16A 100ns TLP时仅为2.4V，在20A 8/20µs浪涌时仅为3.4V。双数据线PESD4V0X2UM采用紧凑型DFN1006-3封装，触发电压为8V，典型器件鲁棒性超过14A 8/20µs，典型器件电容为0.82pF。虽然这两种器件都可为USB2.0 D+/D-线路提供出色的保护作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通带超过7.5GHz，因此适用于5Gbps时的USB3.x。这两种器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出众的IEC61000-4-5浪涌等级。
东沃电子DOWOSEMI是一家专业的国产电路保护器件器件、二极管和三极管生产厂商，自主研发、生产、销售的产品包括：TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护器件、压敏电阻、自恢复保险丝、陶瓷气体放电管、稳压二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、开关二极管、三极管等等。东沃电子产品能够完美替代各大国际品牌（Nexperia、Vishay、Littelfuse、Bourns、ON、Semtech、Protek、ST等等）对应的物料，竭诚欢迎广大新老客户前来咨询：136 7581 6901（微信同号）朱工
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